Rochester Electronics, LLC FQI2N30TU

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 40W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7 Ω @ 1.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

130pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.1A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.4A

DS 击穿电压-最小值

300V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant