Rochester Electronics, LLC HUF75329S3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

128W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

UltraFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 49A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.06pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

42A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

DS 击穿电压-最小值

55V

RoHS状态

ROHS3 Compliant