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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 MC1413BDR2
MC1413BDR2
MC1413BDR2

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Rochester Electronics, LLC MC1413BDR2

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型号

MC1413BDR2

品牌

Rochester Electronics, LLC

utmel 编号

2071-MC1413BDR2

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

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1最小包装量--

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MC1413BDR2
MC1413BDR2 Rochester Electronics, LLC POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

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MC1413BDR2详情

技术参数

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Rochester Electronics, LLC MC1413BDR2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    16-SOIC

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    500mA

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 晶体管类型

    7 NPN Darlington

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    1000 @ 350mA 2V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.6V @ 500μA, 350mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC MC1413BDR2.

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公司资质

ISO13485
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DUNS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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