NTD3055L170T4
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Rochester Electronics, LLC NTD3055L170T4

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型号

NTD3055L170T4

utmel 编号

2071-NTD3055L170T4

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

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1最小包装量--

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NTD3055L170T4
NTD3055L170T4 Rochester Electronics, LLC N-CHANNEL POWER MOSFET

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NTD3055L170T4详情

Rochester Electronics, LLC NTD3055L170T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    9A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.17Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    27A

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    30 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

0个相似型号

技术文档: Rochester Electronics, LLC NTD3055L170T4.

NTD3055L170T4拓展信息

PHK31NQ03LT,518
PHK31NQ03LT,518

Rochester Electronics, LLC

IPP80N04S2H4AKSA2
IPP80N04S2H4AKSA2

Rochester Electronics, LLC

IRF830
IRF830

Rochester Electronics, LLC

BUZ21
BUZ21

Rochester Electronics, LLC

FDN358P
FDN358P

Rochester Electronics

NDT3055
NDT3055

Rochester Electronics

FDV303N
FDV303N

Rochester Electronics

IRF9630
IRF9630

Rochester Electronics, LLC

FQU4N50TU
FQU4N50TU

Rochester Electronics, LLC

FDS6630A
FDS6630A

Rochester Electronics

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