Rochester Electronics, LLC NTLJF3118NTAG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

265

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

S-XDSO-C6

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 3.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

271pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.7nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

ROHS3 Compliant