Rochester Electronics, LLC SPI21N10

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 44μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

865pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21A

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant