ROHM Semiconductor 2SA1812T100Q

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

82

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

-400V

最大功率耗散

2W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SA1812

元素配置

Single

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

12MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 10mA, 100mA

最大击穿电压

400V

集电极基极电压(VCBO)

-400V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅