ROHM Semiconductor 2SA2029T2LQ
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2SA2029T2LQ
2078-2SA2029T2LQ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-723
大陆
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TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
--最小包装量--
2SA2029T2LQ详情
ROHM Semiconductor 2SA2029T2LQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
额定电流
-150mA
基本部件号
2SA2029
引脚数量
3
元素配置
Single
增益带宽积
140MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 50mA
最高频率
140MHz
转换频率
140MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
连续集电极电流
-150mA
高度
500μm
长度
1.2mm
宽度
800μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SA2029T2LQ拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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