ROHM Semiconductor 2SA2072TLQ
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2SA2072TLQ
2078-2SA2072TLQ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS PNP 60V 3A CPT
--最小包装量--
2SA2072TLQ详情
ROHM Semiconductor 2SA2072TLQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
40 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-200mV
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn98Cu2)
HTS代码
8541.29.00.75
最大功率耗散
1W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
180MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
转换频率
180MHz
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SA2072TLQ拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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