ROHM Semiconductor 2SA2119KT146

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-100mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SA2119

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

260MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 200mA

转换频率

260MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

-15V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅