ROHM Semiconductor 2SB1183TL

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

1W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1.2mA, 600mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅