ROHM Semiconductor 2SB1565FU6E

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220FN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

2W

增益带宽积

15MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

15MHz

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

连续集电极电流

-3A

RoHS状态

ROHS3 Compliant