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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.270529
10
¥8.74578
100
¥8.250737
500
¥7.783714
1000
¥7.343125
ON Semiconductor TIP32ATU
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- 对比
TIP32ATU
1807-TIP32ATU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS PNP 60V 3A TO-220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TIP32ATU详情
ON Semiconductor TIP32ATU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.214g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-1.2V
Number of Elements
1
hFEMin
10
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
2W
额定电流
-3A
频率
3MHz
基本部件号
TIP32
元素配置
Single
功率耗散
2W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
3MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 3A 4V
最大集极截止电流
200μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 375mA, 3A
转换频率
3MHz
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
16.51mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TIP32ATU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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