ROHM Semiconductor 2SCR372PT100R

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Current-Collector (Ic) (Max)

700mA

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

220MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 500mA

转换频率

220MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant