ROHM Semiconductor 2SCR502UBTL

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-85

引脚数

85

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F3

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

360MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

200nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 200mA

转换频率

360MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

500mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅