ROHM Semiconductor 2SD1758TLQ
- 收藏
- 对比
2SD1758TLQ
2078-2SD1758TLQ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

TRANS NPN 32V 2A SOT-428
--最小包装量--
2SD1758TLQ详情
ROHM Semiconductor 2SD1758TLQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32V
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn98Cu2)
HTS代码
8541.29.00.75
电压 - 额定直流
32V
最大功率耗散
1W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SD1758
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
1W
功率 - 最大
10W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
800mV
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 500mA 3V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
800mV @ 200mA, 2A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
32V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
2A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1758TLQ拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








哦! 它是空的。