ROHM Semiconductor 2SD1949T106Q

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SD1949

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 10mA 3V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

500mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅