ROHM Semiconductor BCW30T116

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

hFEMin

210

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-32V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-100mA

基本部件号

BCW30

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

100mA

转换频率

250MHz

最小直流增益（hFE）

210

连续集电极电流

100mA

VCEsat-最大值

0.3 V

集电极-基极电容-最大值

7pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅