ROHM Semiconductor MMST2222AT146

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

35

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

600mA

基本部件号

T2222A

引脚数量

3

电压

40V

元素配置

Single

电流

6A

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

600mA

关断时间-最大值（toff)

285ns

集电极-基极电容-最大值

7pF

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅