Rohm Semiconductor EMD38T2R

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

EMT6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

RoHS

Compliant

Emitter-Collector Voltage (Max)

50(V)

Collector Current (DC)

0.1(A)

Typical Input Resistor

10@NPN/1@PNP

Package Type

EMT

Typical Resistor Ratio

0.213@NPN/0.1@PNP

Minimum DC Current Gain

30

Maximum DC Collector Current

100/100 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

50/-50 V

Number of Elements per Chip

2

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

-

Transistor Polarity

NPN and PNP Complement

Pd - Power Dissipation

150 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

EMD38

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum Operating Frequency

250 MHz

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

EMD38T2R

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

1.75

Part Package Code

SC-107

系列

-

包装

卷带

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

NPN/PNP

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 10

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

输出电压

300 mV

配置

Dual

元素配置

Dual

功率耗散

0.15(W)

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA, 300mV @ 500μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

250MHz

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

68

电阻基(R1)

1kOhms

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms, 10kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

无铅

无铅