ROHM Semiconductor EMF4T2R

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

供应商器件包装

EMT6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA, 500mA

Base Product Number

EMF4

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

EMF4T2R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.84

Part Package Code

SC-107

系列

-

JESD-609代码

e2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

最大集极截止电流

500nA, 100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V, 12V

频率转换

250MHz, 260MHz

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

20

电阻基(R1)

2.2kOhms

电阻-发射极基极(R2)

2.2kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V