ROHM Semiconductor EMG8T2R

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

引脚数

5

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

150mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*MG8

引脚数量

5

极性

NPN

配置

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

150mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

4.7k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅