ROHM Semiconductor EMX26T2R

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*MX26

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Dual

功率 - 最大

150mW

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

820 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

300nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

500μm

长度

1.6mm

宽度

1.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅