ROHM Semiconductor EMZ8T2R

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA 500mA

Number of Elements

2

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

260MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V / 270 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V 12V

转换频率

180MHz

频率转换

180MHz 260MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅