ROHM Semiconductor FMY4AT148
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FMY4AT148
2078-FMY4AT148
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SMD/SMT
大陆
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TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT
--最小包装量--
FMY4AT148详情
ROHM Semiconductor FMY4AT148重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SMD/SMT
引脚数
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Number of Elements
2
hFEMin
120
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
150mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
5
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
140MHz
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
150mA
转换频率
140MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
最小直流增益(hFE)
120
连续集电极电流
150mA
VCEsat-最大值
0.4 V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FMY4AT148拓展信息







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