ROHM Semiconductor GDZ8EPT2R6.8

生命周期状态

NRND (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

引脚数

8

RoHS

Non-Compliant

Manufacturer Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 2 years ago)

hFEMin

100

Reverse Stand-off Voltage

24 V

Breakdown Voltage / V

51 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400 mV

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

Obsolete

系列

-

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-40 °C

输出电压

5 V

工作电源电压

23 V

通道数量

2

最大电源电压

6.5 V

最小电源电压

3 V

电源电流

25 nA

功率耗散

150 mW

输出电流

10 mA

最大电源电流

2.5 A

静态电流

3 mA

回应时间

1.3 µs

最大反向漏电电流

1 µA

最小输入电压

3.6 V

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

最大输入电压

23 V

测试电流

2.5 mA

参考电压

1.25 V

增益带宽积

1 MHz

漏源电压 (Vdss)

-60 V

正向电压

1 V

压差电压

950 mV

齐纳电压

75 V

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

栅极至源极电压(Vgs)

-1.5 V

输入电容

436 pF

最大击穿电压

9.8 V

集电极基极电压(VCBO)

-40 V

发射极基极电压 (VEBO)

40 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

125 °C

连续集电极电流

-200 mA

开关电流

2 A

最小击穿电压

25.4 V

阴极电流

200 µA

长度

5 mm

高度

1.5 mm

宽度

4 mm