ROHM Semiconductor IMB7AT108
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IMB7AT108
2078-IMB7AT108
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-457
大陆
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
--最小包装量--
IMB7AT108详情
ROHM Semiconductor IMB7AT108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-457
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
极性
PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
电阻基(R1)
4.7k Ω
VCEsat-最大值
0.3 V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IMB7AT108拓展信息







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