ROHM Semiconductor IMD23T108
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IMD23T108
2078-IMD23T108
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SC-74, SOT-457
大陆
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TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
--最小包装量--
IMD23T108详情
ROHM Semiconductor IMD23T108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率 - 最大
300mW
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
56 @ 50mA 5V 30 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
200MHz 250MHz
电阻基(R1)
1k Ω, 10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω, 10k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IMD23T108拓展信息







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