ROHM Semiconductor IMH23T110

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Number of Elements

2

hFEMin

820

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*MH23

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

820 @ 50mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 2.5mA, 50mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

20V

频率转换

150MHz

发射极基极电压 (VEBO)

12V

电阻基(R1)

4.7k Ω

高度

1.2mm

长度

3mm

宽度

1.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅