ROHM Semiconductor IMT1AT110

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

2

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1996

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-150mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*MT1

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

140MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

最高频率

100MHz

转换频率

140MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

VCEsat-最大值

0.5 V

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅