ROHM Semiconductor IMX1T108

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

SMD/SMT

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

2

hFEMin

120

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

JESD-609代码

e1

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

180MHz

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

转换频率

180MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

最小直流增益（hFE）

120

连续集电极电流

150mA

VCEsat-最大值

0.4 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant