ROHM Semiconductor IMZ4T108

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Number of Elements

2

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

32V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*MZ4

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 3V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

32V

频率转换

250MHz 200MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅