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技术文档
型号
MP6X3TR
品牌
ROHM Semiconductor
utmel 编号
2078-MP6X3TR
商品类别
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
封装
6-SMD, Flat Leads
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANSISTOR; DUAL NPNX2; MPT6 PKG
起订量
1最小包装量--
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MP6X3TR详情
技术参数
ROHM Semiconductor MP6X3TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
MPT6
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Base Product Number
MP6X3
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.84
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
1.4W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 100mA, 2V
最大集极截止电流
1µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
200MHz
最大耗散功率(Abs)
2 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
120
集电极-发射器电压-最大值
60 V
MP6X3TR拓展信息
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公司资质
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型号:UMX1NTN
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:ROHM Semiconductor
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