ROHM Semiconductor MTZJT-779.1C

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AG, DO-34, Axial

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

包装

Tape & Box (TB)

容差

±3%

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

500mW

电压 - 额定直流

9.1V

最大功率耗散

500mW

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

20Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

500nA @ 6V

功率耗散

500mW

箱体转运

ISOLATED

阻抗-最大

20Ohm

齐纳电压

8.8V

工作测试电流

5mA

反向电流-最大值

0.5μA

齐纳电流

20mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅