ROHM Semiconductor PTZTE256.2B
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PTZTE256.2B
2078-PTZTE256.2B
二极管 - 齐纳 - 单
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DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS
--最小包装量--
PTZTE256.2B详情
ROHM Semiconductor PTZTE256.2B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
容差
6%
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
高浪涌耐受水平
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
1W
电压 - 额定直流
6.2V
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
6Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
1W
最大反向漏电电流
20μA
参考电压
6.2V
齐纳电压
6.5V
最大电压允差
6.06%
工作测试电流
40mA
电压允差
6%
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PTZTE256.2B拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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