ROHM Semiconductor QS6Z5TR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2016

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

最大功率耗散

1.25W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

1.25W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

350mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 50mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA

转换频率

360MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

360MHz 400MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅