ROHM Semiconductor QSZ2TR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

QSZ

引脚数量

5

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率 - 最大

1.25W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

280MHz

晶体管类型

NPN, PNP (Emitter Coupled)

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A

转换频率

300MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

300MHz 280MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅