RDX030N60
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ROHM Semiconductor RDX030N60

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型号

RDX030N60

utmel 编号

2078-RDX030N60

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FM, 3 PIN

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RDX030N60
RDX030N60 ROHM Semiconductor Description: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FM, 3 PIN

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RDX030N60详情

ROHM Semiconductor RDX030N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Drain Current-Max (ID)

    3 A

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Number of Elements

    1

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    3.6 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    12 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    28 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    30 W

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor RDX030N60.

RDX030N60拓展信息

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2SK2711
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RK4410
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RES070N03
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R6025ANZ
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