ROHM Semiconductor RPI-579N1E

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

操作温度

-25°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

功能数量

1

输出配置

Phototransistor

功率耗散

70mW

上升时间

10μs

下降时间（典型值）

10 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

30mA

感应距离

0.197 (5mm)

正向电流-最大

0.035A

感测方法

Through-Beam

最大直流驱动电流（If）

50mA

暗电流（最大）

500nA

槽宽-Nom

5mm

通态集电极电流标称

30mA

间隙尺寸

5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅