ROHM Semiconductor RS1E200AHTB

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Package Description

HSOP-8

Drain Current-Max (ID)

30 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0061 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR