SSTA06T116
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ROHM Semiconductor SSTA06T116

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型号

SSTA06T116

utmel 编号

2078-SSTA06T116

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 80V 0.5A SST3

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SSTA06T116
SSTA06T116 ROHM Semiconductor TRANS NPN 80V 0.5A SST3

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SSTA06T116详情

ROHM Semiconductor SSTA06T116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SST3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    80V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    250mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    500mA

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    80V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 额定电流

    500mA

  • 基本部件号

    STA06

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200mW

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    250mV

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 100mA 1V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 10mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    80V

  • 最大击穿电压

    80V

  • 频率转换

    100MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    4V

  • 连续集电极电流

    500mA

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor SSTA06T116.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & SSTA06T116相似的参数规格。

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SSTA06T116拓展信息

2SB1188T100R
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2SC4617TLQ
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2SD1898T100R
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2SC2412KT146Q
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2SA1579T106R
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2SA1774TLQ
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2SB1132T100R
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2SD1782KT146R
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2SB1197KT146R
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2SA1037AKT146R
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