ROHM Semiconductor SSTA13T116

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

300mA

Number of Elements

1

hFEMin

5000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

STA13

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

125MHz

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

转换频率

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

VCEsat-最大值

1.5 V

集电极-基极电容-最大值

7pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅