注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
UMA9NTR
品牌
ROHM Semiconductor
utmel 编号
2078-UMA9NTR
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
封装
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
起订量
--最小包装量--
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UMA9NTR详情
技术参数
PDF文档
型号对比
ROHM Semiconductor UMA9NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
30
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-50mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
MA9
引脚数量
极性
PNP
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
频率转换
电阻基(R1)
10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
VCEsat-最大值
0.3 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: ROHM Semiconductor UMA9NTR.
右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & UMA9NTR相似的参数规格。
Surface Mount
50 V
100 mA
250 MHz
150 mW
80
SOT-353
-
100
Toshiba Semiconductor and Storage
200MHz
50
200 mW
120
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IMD3AT108
封装:SC-74, SOT-457
品牌:ROHM Semiconductor
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