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技术文档
型号
UMB11NFHATN
品牌
ROHM Semiconductor
utmel 编号
2078-UMB11NFHATN
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
封装
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
PNP PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
起订量
--最小包装量--
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UMB11NFHATN详情
技术参数
PDF文档
ROHM Semiconductor UMB11NFHATN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-50V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
极性
PNP
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
250MHz
频率转换
电阻基(R1)
10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
技术文档: ROHM Semiconductor UMB11NFHATN.
UMB11NFHATN拓展信息
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公司资质
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