ROHM Semiconductor UMD25NTR

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

2.2k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant