注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
UMD5NTR
品牌
ROHM Semiconductor
utmel 编号
2078-UMD5NTR
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
封装
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
起订量
--最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
UMD5NTR详情
技术参数
PDF文档
型号对比
ROHM Semiconductor UMD5NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
安装类型
表面贴装
底架
引脚数
6
hFEMin
68
Number of Elements
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
已出版
2004
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
120mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MD5
引脚数量
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率 - 最大
150mW 120mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
68 @ 5mA 5V / 30 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
频率转换
电阻基(R1)
47k Ω, 4.7k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω, 10k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
技术文档: ROHM Semiconductor UMD5NTR.
右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & UMD5NTR相似的参数规格。
Surface Mount
50 V
100 mA
250 MHz
ON Semiconductor
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NPN
SC-75, SOT-416
查看更多
UMD5NTR拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IMD3AT108
封装:SC-74, SOT-457
品牌:ROHM Semiconductor
¥0.482638
型号:FMG9AT148
封装:SC-74A, SOT-753
库存:3000
型号:UMH10NTN
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
¥0.346697
型号:UMD2NTR
¥0.329361
型号:IMH11AT110
型号:UMF5NTR
购物车 (0件产品)