ROHM Semiconductor UMD9NTR
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UMD9NTR
2078-UMD9NTR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
--最小包装量--
UMD9NTR详情
ROHM Semiconductor UMD9NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
68
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
70mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MD9
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
68 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
10k Ω
连续集电极电流
70mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
高度
900μm
长度
2.1mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMD9NTR拓展信息








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