ROHM Semiconductor UMG4NTR
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UMG4NTR
2078-UMG4NTR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
--最小包装量--
UMG4NTR详情
ROHM Semiconductor UMG4NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
引脚数
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
DIGITAL
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MG4
引脚数量
5
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
10k Ω
连续集电极电流
100mA
VCEsat-最大值
0.3 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMG4NTR拓展信息







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