ROHM Semiconductor UMH1NTN
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UMH1NTN
2078-UMH1NTN
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-363
大陆
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
--最小包装量--
UMH1NTN详情
ROHM Semiconductor UMH1NTN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
56
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
30mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
最小直流增益(hFE)
56
连续集电极电流
100mA
VCEsat-最大值
0.3 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMH1NTN拓展信息








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