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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.173937
500
¥0.127891
1000
¥0.106577
2000
¥0.097777
5000
¥0.091381
10000
¥0.085008
15000
¥0.082209
50000
¥0.080842
ROHM Semiconductor UMH4NTN
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- 对比
UMH4NTN
2078-UMH4NTN
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-363
大陆
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
UMH4NTN详情
ROHM Semiconductor UMH4NTN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
DIGITAL
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最小直流增益(hFE)
100
连续集电极电流
100mA
VCEsat-最大值
0.3 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMH4NTN拓展信息







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